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36氪首发研发国内首款分离式高速氮化镓栅极驱动

2020-08-04 23:30

 

  36氪首发研发国内首款分离式高速氮化镓栅极驱动芯片对标Navitas,「氮矽科技」获千万级轮融资

  36氪获悉,分离式氮化镓栅极驱动芯片及增强型氮化镓晶体管研发公司成都氮矽科技有限公司(以下简称“氮矽科技”)宣布获得千万级轮融资,由率然投资领投,鼎青投资跟投。创始人罗鹏表示,公司驱动及晶体管产品已完成流片、封装及应用搭建,正在进行客户导入,预计在年底前推出搭载其首款分离式高速氮化镓栅极驱动芯片以及氮化镓晶体管的快充产品,此次融资除了用于研发外,还将支持市场导入及销售。

  与传统硅材料相比,氮化镓芯片尺寸更小、能够承受的开关频率更高、功率密度大大增加。在CES 2019上,Aukey、MuOne、RavPower等厂商就已发布了多款GaN快充头,其中的芯片均采用了Navitas研发的氮化镓芯片 NV6115。随后,小米、OPPO也陆续发布了采用氮化镓的快充产品,在此之后,国内需求将快速增长,目前市场上有超过150款氮化镓PD快充上市,市场规模已经达到约10亿元人民币的体量。

  国内目前在氮化镓领域拥有设计能力的bless公司数量依然稀少,人才及产业链尚不完备。氮矽科技是由一批此前在海外从事相关研发的专家、高管归国组建。公司于2019年4月成立,团队采用分离式的技术线开发国内首款高速氮化镓栅极驱动芯片及氮化镓晶体管,计划年底从快充市场切入后,逐渐扩展到其他应用场景。

  关于为什么采取分离式技术线,创始人罗鹏表示:尽管当前消费电子类芯片正逐渐集成化,并且以Navitas、PI等巨头所代表的集成式芯片已出现规模化落地,但这并不代表集成式是最优解。其中一个明显弊端就是——集成式芯片了应用扩展的能力,首先是芯片的开关频率只适合消费电子类产品;其次,由于氮化镓升温较快,因此系统级集成需要给驱动附加多种措施,这又进一步了应用扩展性。相比之下,分离式是传统的基于硅的芯片的常见制式,其发展时间最久,替换成氮化镓之后,分离式的芯片开关可调可控,灵活度更高,便于在应用端做改进。此外,当功率升高时,分离式的芯片的稳定性、安全性也会更高。

  氮矽科技创始人罗鹏为勃兰登堡州科技大学硕士,博士与博士后就职于费迪南德布朗-莱布尼茨研究所,精通氮化镓器件物理特性,有超过5年第三代半导体氮化镓IC的研发工作经验。公司董事长David French 从事半导体行业超过40年,2001年起积极投身中国半导体行业,就职于行业中多家公司董事会。总经理Jesse Parker(白杰先)曾任软银国际基金执行副总裁、IBM微电子部门执行副总裁 、先进半导体制造有限公司董事、 DEC 个人电脑部门副总裁,现任股权投资(广东)有限公司董事长、矽能科技总经理,办过乾龙创业投资基金、长沙咨询有限公司等。